12n09,12N09場效應(yīng)管參數(shù),??電機mos管,KCT012N09N-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-11
KCT012N09N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；開關(guān)速度快、符合JEDEC標準，產(chǎn)品性能穩(wěn)定可靠，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用，高效低耗；封裝形式：TOLL，適用于高功率密度場景。
詳細參數(shù)：
漏源電壓：90V
漏極電流：305A
導(dǎo)通電阻：1.3mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1220A
單脈沖雪崩能量：1280MJ
功率耗散：260W
閾值電壓：3.1V
總柵極電荷：141nC
輸入電容：10572PF
輸出電容：3117PF
反向傳輸電容：54PF
開通延遲時間：115nS
關(guān)斷延遲時間：78nS
上升時間：80ns
下降時間：49ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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