集成電路-雙極型工藝圖文介紹-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-11-10
集成電路是將多個器件及其之間的連線制作在同一個基片上，使器件結構分離原件有所不同，即產生寄生的有源器件和無源器件。
寄生效應對電路性能的有一定的影響，因此各個元件之間的隔離是集成電路中必須考慮的問題。雙極型集成電路的基本制作工藝可以分為兩大類。
一類是，需要在器件之間制備電隔離區域的雙極型制造技術，采用的隔離技術主要有pn結隔離、全介質隔離以及pn結-介質混合隔離等。
采用這種隔離技術的有雙極型集成電路，如TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路、線性/ECL（Emitter Couple Logic，射極耦合邏輯電路等）。
介質隔離才采用氧化物隔離的方法，即在形成器件區域的周圍構筑一層隔離環，該隔離環是二氧化硅等的絕緣體，保證各元件之間是完全電隔離的。
PN結隔離是指兩個晶體管分別做在兩隔離區內，他們的集電區是n型外延層，兩晶體管集電區間隔著兩個背靠背的pn結，只要使p型襯底的電位比集電區電位低，兩個晶體管就被反向偏置的pn結所隔開，實現電隔離。
二類是，器件之間自然隔離的雙極型工藝制程技術，I2L（intergrated Injection Logic，集成注入邏輯）電路采用這種工藝制程技術。
以一個四層三結構的雙極晶體管為例，其結構如下圖所示：
在是雙極型集成電路的基本制造工藝中不斷地進行光刻、擴散、氧化的工作。
根據以上四層三結構的雙極型晶體管，其大致的生產流程如下：
1. 襯底選擇：主要確定襯底材料類型；確認襯底材料的電阻率；襯底材料的晶向；
2. 第一次光刻：N+隱埋層擴散孔光刻。
3. 外延層淀積；
4. 第二次光刻：P隔離擴散孔光刻；
5. 第三次光刻：P區基區擴散孔光刻；
6. 第四次光刻：N+發射區擴散孔光刻；
7. 第五次光刻：引線孔光刻；
8. 鋁淀積；
9. 第六次光刻：鋁反刻。
其最終形成的平面和剖面圖如下圖所示：
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