如圖所示是負(fù)反饋方框圖，當(dāng)反饋信號UF相位和輸入信號Ui的相位相反時(shí)，它們混合...如圖所示是負(fù)反饋方框圖，當(dāng)反饋信號UF相位和輸入信號Ui的相位相反時(shí)，它們混合的結(jié)果是相減，結(jié)果凈輸入放大器的信號UI比輸入信號Ui要小，使放大器的輸出信號Uo...
電磁干擾（ElectroMagneticInterference，簡稱EMI）是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨...電磁干擾（ElectroMagneticInterference，簡稱EMI）是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)...
從充電方法的角度來看，電動車有兩個(gè)主要組別。第一組包含混合動力電動車(HEV)...從充電方法的角度來看，電動車有兩個(gè)主要組別。第一組包含混合動力電動車(HEV)和輕度混合動力電動車(MHEV)，它們通過一個(gè)內(nèi)燃機(jī)或再生制動和能量回收給自己的電池...
相比于晶體管，MOSFET這個(gè)管子相對來說比較復(fù)雜，它的工作過程理解起來還是有一...相比于晶體管，MOSFET這個(gè)管子相對來說比較復(fù)雜，它的工作過程理解起來還是有一定難度的。那么這其中最難以理解的部分，可能還是MOS管開關(guān)損耗的理解。相比導(dǎo)通損...
在選擇IGBT驅(qū)動芯片時(shí)，很重要的一步就是計(jì)算IGBT所需要的最大驅(qū)動電流，在不考...在選擇IGBT驅(qū)動芯片時(shí)，很重要的一步就是計(jì)算IGBT所需要的最大驅(qū)動電流，在不考慮門極增加Cge電容的條件下，可以把IGBT驅(qū)動環(huán)節(jié)簡化為一個(gè)RLC電路，如下圖陰影部分...
