KIA3402采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了優(yōu)越的RDS(on)，低門(mén)電荷門(mén)極電壓低至2.5...KIA3402采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供了優(yōu)越的RDS(on)，低門(mén)電荷門(mén)極電壓低至2.5V。該產(chǎn)品適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3402（綠色產(chǎn)品）采用無(wú)鉛包裝。...
Q1 和 Q2 構(gòu)成互鎖電路，即 Q1 導(dǎo)通時(shí) Q2 截止，Q2 導(dǎo)通時(shí) Q1 截止。 在上電之...Q1 和 Q2 構(gòu)成互鎖電路，即 Q1 導(dǎo)通時(shí) Q2 截止，Q2 導(dǎo)通時(shí) Q1 截止。 在上電之后，這兩個(gè)晶體管的導(dǎo)通順序由 C1-R2-R3，C2-R1 決定。即在上電之后，由于電容兩端...
NMOS是控制電路中常用的開(kāi)關(guān)器件，當(dāng)然也有用于放大電路的場(chǎng)景。NMOS作為開(kāi)關(guān)時(shí)...NMOS是控制電路中常用的開(kāi)關(guān)器件，當(dāng)然也有用于放大電路的場(chǎng)景。NMOS作為開(kāi)關(guān)時(shí)，常用于低邊控制(low-sidedriver)，如下所示的電路圖。
上圖是一個(gè)控制MOS管開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單電路圖，根據(jù)之前的分析，MOS管柵極與源極之間有...上圖是一個(gè)控制MOS管開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單電路圖，根據(jù)之前的分析，MOS管柵極與源極之間有寄生電容，柵極與漏極之間也有寄生電容。 另外，MOS管源極接地，漏極輸出，這種情...
NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導(dǎo)通,低電平斷開(kāi),可用來(lái)控制與地之間的導(dǎo)通。適合...NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導(dǎo)通,低電平斷開(kāi),可用來(lái)控制與地之間的導(dǎo)通。適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
用一只精心挑選的運(yùn)放、一個(gè)低閾值的P溝道MOSFET,以及兩只反饋電阻，就可以做出...用一只精心挑選的運(yùn)放、一個(gè)低閾值的P溝道MOSFET,以及兩只反饋電阻，就可以做出一個(gè)正向壓降小于二極管的整流電路（圖1）。整流后的輸出電壓為有源電路供電，因此...
