開(kāi)關(guān)電源發(fā)生過(guò)電壓、過(guò)電流短路時(shí)，保護(hù)電路使開(kāi)關(guān)電源停止工作以保護(hù)負(fù)載和電...開(kāi)關(guān)電源發(fā)生過(guò)電壓、過(guò)電流短路時(shí)，保護(hù)電路使開(kāi)關(guān)電源停止工作以保護(hù)負(fù)載和電源本身。 線性電源一般是將輸出電壓取樣后與參考電壓起送入比較電壓放大器，此電壓...
①由于高壓MOSFETPWM及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里，大大提高了電路的集成度，...①由于高壓MOSFETPWM及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里，大大提高了電路的集成度，所以用該芯片設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源，外接元器件少，可降低成本，縮小體積，提高可靠性；②...
變換器最主要的優(yōu)點(diǎn)是 ，其初級(jí)施加的是幅值方波電壓，而非半橋變換器的士Vc1c...變換器最主要的優(yōu)點(diǎn)是 ，其初級(jí)施加的是幅值方波電壓，而非半橋變換器的士Vc1c / 2 ，但其開(kāi)關(guān)管承受的關(guān)斷電壓卻與半橋變換器相同 ，等于最大輸入直流電壓 。所以...
變壓器輔助緩沖器圖中的電路可以顯著減小甚至消除 RCD 緩沖器的漏感尖峰 ，而且...變壓器輔助緩沖器圖中的電路可以顯著減小甚至消除 RCD 緩沖器的漏感尖峰 ，而且不需要增大電（緩沖電容的增加會(huì)導(dǎo)致緩沖器電阻損耗的增加） 。
在離線反激變換器中用到高壓雙極型晶體管的地方 ，也許會(huì)碰到tl 800V 級(jí)別的電...在離線反激變換器中用到高壓雙極型晶體管的地方 ，也許會(huì)碰到tl 800V 級(jí)別的電 壓。V陽(yáng)額定值在 400V 到 1000V 之間的高壓晶體管與低壓三極管的對(duì)應(yīng)性能會(huì)有點(diǎn) 不...
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）簡(jiǎn)稱功率MOSFET，是使用大都載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體器...功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）簡(jiǎn)稱功率MOSFET，是使用大都載流子導(dǎo)電的半導(dǎo)體器材，且導(dǎo)通時(shí)只要一種極性的載流子參加導(dǎo)電，是單極型晶體管。與使用少數(shù)載流子導(dǎo)電...
