KIA7115參數(shù)指標(biāo)

KIA 7115a是性能最高的溝槽N - ch MOSFETs，具有極高的單元密度，為大多數(shù)同步buck轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了優(yōu)異的RDSON和柵極電荷。KIA 7115a符合RoHs和綠色產(chǎn)品要求，100 % EAS，功能可靠性得到認(rèn)可。

特征

RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V

超低柵極電荷

綠色設(shè)備可用

優(yōu)良的Cdv / dt效應(yīng)下降

先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)

參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：KIA7115

工作方式：20A/150V

漏源電壓：150V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：14A

脈沖漏極電流：40A

雪崩電流：18A

雪崩能量：53mJ

耗散功率：72.6W

熱電阻：60℃/W

漏源擊穿電壓：150V

柵極閾值電壓：1.2V

輸入電容：2285PF

輸出電容：110PF

上升時(shí)間：8.2 ns

封裝形式：TO-251、TO-252

	KIA7115AD/AU
產(chǎn)品編號(hào)	KIA7115（20A 150V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	KIA 7115a是性能最高的溝槽N - ch MOSFETs，具有極高的單元密度，為大多數(shù)同步buck轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了優(yōu)異的RDSON和柵極電荷。
產(chǎn)品特征	RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V 超低柵極電荷綠色設(shè)備可用優(yōu)良的Cdv / dt效應(yīng)下降先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)
封裝形式	TO-251、TO-252
PDF文件	【直接現(xiàn)在預(yù)覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.sansepc.com
PDF頁(yè)總數(shù)	總4頁(yè)