KIA6410參數(shù)指標

功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這先進的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。

特征

RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dt／dt能力

參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA6N70

工作方式：15A/100V

漏源電壓：100V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù)：15A

脈沖漏極電流：60V

耗散功率：50W

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：100V

溫度系數(shù)：0.05V/℃

柵極閾值電壓：1.2V

輸入電容：1480PF

輸出電容：480PF

上升時間：9.5ns

封裝形式：TO-252、TO-251、TO-220

	KIA6410
產(chǎn)品編號	KIA6410/AP/AU
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這先進的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的。開關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
產(chǎn)品特征	RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-220、TO-251、TO-252
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.sansepc.com
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