KIA18N50參數

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。

KIA18N50特征

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切換

100%雪崩測試

改進的dv / dt的能力

產品型號：KIA18N50

工作方式：18A/500V

漏源電壓：500V

柵源電壓：±30V

漏電流連續：18.0*A

脈沖漏極電流：72A

雪崩能量：990mJ

耗散功率：38.2W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：500V

溫度系數：0.6V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：2500 PF

輸出電容：400 PF

上升時間：190 ns

封裝形式：TO-220F、TO-247

	KIA18N50（18A 500V）
產品編號	KIA18N50/HF
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖
產品特征	RDS(on) =0.25? @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的16nc）高耐用性快速切換 100%雪崩測試改進的dv / dt的能力
適用范圍	產品主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。
封裝形式	TO-220F、TO-247
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網址	www.kiaic.com
PDF總頁數	總5頁