KIA40N06參數(shù)

kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度，為大多數(shù)的同步降壓轉(zhuǎn)換器，優(yōu)良的導通電阻和柵極電荷應用，kia40n06b符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求，保證100% EAS全功能可靠性認證。

特點：

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

先進的高密度溝槽技術

超級Low Gate Charge

優(yōu)良的CDV / dt效應遞減

100% EAS保證

綠色的可用設備

應用：

MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點

網(wǎng)絡化DC-DC電源系統(tǒng)

液晶/ LED背光燈

產(chǎn)品型號：KIA40N06

工作方式：38A、60V

漏流電壓：60V

柵源電壓（連續(xù)）：±20V

連續(xù)漏電流：38A

脈沖漏極電流：80A

雪崩能量：28A

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：60V

溫度系數(shù)：0.057

柵極閾值電壓：1.2V

輸入電容：2423 PF

輸出電容：145 PF

上升時間：2.2 ns

封裝形式：TO-251、TO-252

	KIA 40N06(38A 60V)
產(chǎn)品編號	KIA40N06BD/BU
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品工藝	kia40n06b最高性能的溝道MOSFET與極端高細胞密度，為大多數(shù)的同步降壓轉(zhuǎn)換器，優(yōu)良的導通電阻和柵極電荷應用，kia40n06b符合ROHS環(huán)保和綠色產(chǎn)品的要求，保證100% EAS全功能可靠性認證。
產(chǎn)品特征	RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V 先進的高密度溝槽技術超級Low Gate Charge 優(yōu)良的CDV / dt效應遞減 100% EAS保證綠色的可用設備
適用范圍	主要使用于MB /鈮/VGA負載同步Buck變換器高頻點網(wǎng)絡化DC-DC電源系統(tǒng) 液晶/ LED背光燈
封裝形式	TO-251、TO-252
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA 原廠家
網(wǎng)址	www.kiaic.com
PDF總頁數(shù)	總5頁