5N60現貨供應商 5N60參數中文資料 5N60參數配置對比
信息來源：本站 日期：2018-01-13
N溝道增強型功率場效應晶體管是使用起亞的。有平面的DMOS工藝。這種先進技術特別適合于最小化。在狀態電阻方面，提供優越的開關性能，并能承受高能量脈沖。雪崩換相模式。這些器件非常適合于高效率的開關模式電源。基于半橋的電源和電子鎮流器。
特征
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容（典型值8.0pf）
低柵極電荷（典型值高= 16nc）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
符合RoHS
參數
產品編號：KIA 5N60
系列名稱：MOSFET
溝道：N溝道
耗散功率（pd）：100
漏源反向電壓（Vds）：600
柵源反向電壓（Vgs）：30
漏極電流（連續）（id）：5
最高結溫（Tj），℃：150
上升時間（tr）：42
輸出電容（Cd），PF：55
通態電阻（Rds），ohm：1.8
封裝形式：TO-220、TO-220F等
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4N60 |
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描述 |
5.0A 600V N-CHANNEL .MOSFET |
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適用范圍 |
開關電源、逆變器等 |
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PDF文件
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廠家 |
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