Cadence仿真：MOS管參數名稱解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-10-09
Cadence仿真中，MOS管的參數很多，有些參數可以直接添加到計算器中，進行數據的計算。
type：MOS管類型，可能值為 n 或 p。
region：MOS管的工作區域，可能值為 0~4，分別對應：0： 關斷；1： 線性區；2： 飽和區；3： 亞閾值區；4： 擊穿
reversed：MOS管是否反向，可能值為 yes 或 no。
ids (A)： 阻性漏源電流
lx4 (A)： ids 的別名，當 MOS管反向時有相反的符號。
lx50 (A)：襯源電流。
vgs / lx2 (V)：柵源電壓。
vds / lx3 (V)：漏源電壓。
vbs / lx1 (V)：襯源電壓。
vth (V)：有效閾值電壓。
lv9 (V)：vth 的別名。
vdsat (V)：漏源飽和電壓。
lv26 (V)：平帶電壓（Flat-band voltage）。
lv10 (V)：vdsat 的別名。
gm / lx7 (S)：共源跨導。
gds / lx8 (S)：共源輸出跨導。
gmbs / lx9 (S)：襯底跨導。
betaeff (A/V2)：有效 β 值。
cjd / lx29 (F)：漏區襯底結電容。
cjs / lx28 (F)：源區襯底結電容。
lx12 (Coul)：襯底電荷（Qb）
lx14 (Coul)：柵極電荷（Qg）
lx16 (Coul)：漏區電荷（Qd）
lx24 (Coul)：漏區 PN 結電荷。
lx26 (Coul)：源區 PN 結電荷。
cgg / lx18 (F)：dQg_dVg
cgd / lx19 (F)：dQg_dVd
cgs / lx20 (F)：dQg_dVs
cgb (F)：dQg_dVb
cdg / lx32 (F)：dQd_dVg
cdd / lx33 (F)：dQd_dVd
cds / lx34 (F)：dQd_dVs
cdb (F)：dQd_dVb
csg (F)：dQs_dVg
csd (F)：dQs_dVd
css (F)：dQs_dVs
csb (F)：dQs_dVb
cbg / lx21 (F)：dQb_dVg
cbd / lx22 (F)：dQb_dVd
cbs / lx23 (F)：dQb_dVs
cbb (F)：dQb_dVb
ron()：導通電阻。
id / i1 (A)：漏端電流。
is / i3 (A)：源端電流。
ibulk / i4 (A)：襯底電流。
lx5 (A)：源端 PN 結電流。
lx6 (A)：漏端 PN 結電流。
pwr (W)：處于工作點時的功耗。
gmoverid (1/V)：Gm/Ids
lv36 (F)：柵源交疊電容。
lv37 (F)：柵漏交疊電容。
lv38 (F)：柵襯底交疊電容。
lx10 (S)：漏區二極管跨導。
lx11 (S)：源區二極管跨導。
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