體二極管的技術(shù)參數(shù)VSD、IS、trr、Qrr、ISM、IRRM?
信息來源：本站 日期：2017-08-14
體二極管的技術(shù)參數(shù)VSD、Is、trr、Qrr、ISM、IRRM
早期的功率MOSFET常常會由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控，或者形成漏-源極的擊穿損壞。而在大功率的高速開關(guān)電路中，純阻性負(fù)載是很少見的，即便外部負(fù)載是純阻性的，電路的散布參數(shù)、VMOS本身的散布參數(shù)在VMOS高速開關(guān)期間，也會有時(shí)間很短但是速度很快的電壓/電流變化現(xiàn)象。形成MOSFET易損的緣由是內(nèi)部寄生的NPN晶體管在作祟。
源極連續(xù)電流，漏極與源極間的體二極管的最大正向連續(xù)電流，也寫作IDR，意義是（漏極連續(xù)反向電流）。手冊普通給出的是最大值，這個(gè)參數(shù)表征的是在VMOS關(guān)斷、體二 極管開通時(shí)能接受的最大電流，電流方向與漏極電流相反，以不超越管芯的結(jié)溫為限。假如僅僅表示體二極管的正向續(xù)流電流而不是最大值時(shí)，普通用IF表示；不過，在一些老產(chǎn)品的技術(shù)手冊中，IF也表示續(xù)流電流的最大值。
目前依據(jù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間對功率二極管的分類，普通二極管的trr>500ns:trr在300一500ns之間為快速二極管；trr在100～300ns為快恢復(fù)二極管；trr在50-100ns為超快恢復(fù)二極管；trr<10ns為肖特基二極管，如今有一些超快恢復(fù)二極管的trr在20一50ns之間。小功率開關(guān)二極管的trr般也小于20ns。
（體二極管）反向恢復(fù)電荷。這個(gè)參數(shù)表征的是體二極管的結(jié)電容在止向開通期間所存儲的電荷，相當(dāng)于體二極管的結(jié)電容所存儲的能量。
一些產(chǎn)品的技術(shù)手冊還會給出體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間的降落時(shí)間(ta)、上升時(shí)間(tb)，普通而言，ta>tb。
技術(shù)手冊在給出體二極管的技術(shù)參數(shù)時(shí)，測試條件中會有圖3。21中的di/dt參數(shù)，在給出的曲線圖中，有時(shí)會采用dif/dt，由于反向恢復(fù)電流的—卜升速率更快，因而更有代表性。二者對Irr、trr、Qrr均有明顯影響，對IRRM、Qrr影響是正向的，對trr的影響則是反向的。圖3. 22是IRF3207的技術(shù)手冊中給出的波形圖，VR表示體二極管兩端的最人反向恢復(fù)電壓。
