5N60場效應管參數代換 5N60引腳圖 5N60E參數4.5A600V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-08-05
這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術。這項先進的技術經過了特別的調整，以使其最小化通態電阻，提供優越的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。這些器件非常適合于高效率的開關模式電源供應和電子燈鎮流器的基礎上的半橋。
4.5A，600V，RDS（ON）= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容（典型值8.0pf）
低柵極電荷（典型值高= 16nc）
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
符合RoHS
產品編號：KIA 5N60
系列名稱：MOSFET
溝道：N溝道
耗散功率（pd）：100
漏源反向電壓（Vds）：600
柵源反向電壓（Vgs）：30
漏極電流（連續）（id）：5
最高結溫（Tj），℃：150
上升時間（tr）：42
輸出電容（Cd），PF：55
通態電阻（Rds），ohm：1.8
封裝形式：TO-220、TO-220F等
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
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