【分享】dV/dt對MOSFET動態(tài)性能的影響-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-27
MOSFET的dv/dt是指開關(guān)瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率。
如果dv/dt太大，可能發(fā)生振鈴，進(jìn)而可能導(dǎo)致MOSFET損壞。
①靜態(tài)dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開通。
②動態(tài)dV/dt：回路中電感在MOSFET關(guān)斷時(shí)，引起動態(tài)dV/dt；工作頻率越高，負(fù)載等效電感越大，器件同時(shí)承受大的漏極電流和高漏極電壓，將導(dǎo)致器件損壞。加吸收回路，減小引線長度，采用諧振型電路，可抑制dV/dt。
③二極管恢復(fù)期dV/dt：在MOSFET使用中，二極管發(fā)生續(xù)流過程時(shí)，漏極電壓快速上升，內(nèi)部二極管反向恢復(fù)過程中導(dǎo)致?lián)p壞。主要原因是寄生二極管表現(xiàn)為少子器件，有反向恢復(fù)時(shí)間，反向恢復(fù)期間存儲電荷快速消失，會增大電流密度和電場強(qiáng)度，引起局部擊穿（如二次擊穿），導(dǎo)致器件損壞。
由高dV/dt導(dǎo)致的器件誤導(dǎo)通的機(jī)理包括兩種：
（1）通過CGD反饋回輸入端.如I1電流，RG是總柵極電阻，VGS表示為：
當(dāng)VGS超過器件的閾值電壓Vth，器件進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，在該機(jī)制下，dV/dt由以下關(guān)系式限定：
低Vth器件更加容易導(dǎo)致 dV/dt誤導(dǎo)通。在高溫環(huán)境中必須考慮到Vth的負(fù)溫度系數(shù)。并且對于柵阻抗需要認(rèn)真考慮，來避免誤導(dǎo)通。
對于由高dv/dt誤導(dǎo)通的第二種機(jī)制為 MOSFET的開通是由于寄生BJT的導(dǎo)通. 體二極管電容CDB，如電流I2。
該機(jī)制下dV/dt由以下關(guān)系式?jīng)Q定：
在較高的dV/dt和較大的基區(qū)電阻RB情況下，MOSFET的擊穿電壓由 BJT決定。通過提高體區(qū)摻雜濃度并減小位移電流 I2來提高dV/dt的能力。隨著環(huán)境溫度升高，BJT的RB增大，VBE降低，影響器件dV/dt的能力。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
