分析LLC諧振半橋變換器及失效模式-KIA MOS管

在功率變換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便降低無源器件的尺寸。

零電壓開關(guān)(ZVS)拓撲因具有極低的開關(guān)損耗、較低的器件應(yīng)力而允許采用高開關(guān)頻率以及較小的外形，從而越來越受到青睞。這些諧振變換器以正弦方式對能量進行處理，開關(guān)器件可實現(xiàn)軟開閉，因此可以大大地降低開關(guān)損耗和噪聲。

在這些拓撲中，相移ZVS全橋拓撲在中、高功率應(yīng)用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下，無需額外附加輔助開關(guān)。

然而，ZVS范圍非常窄，續(xù)流電流消耗很高的循環(huán)能量。近來，出現(xiàn)了關(guān)于相移全橋拓撲中功率MOSFET失效問題的討論。這種失效的主要原因是：在低反向電壓下，MOSFET體二極管的反向恢復(fù)較慢。

另一失效原因是：空載或輕載情況下，出現(xiàn)Cdv/dt直通。在LLC諧振變換器中的一個潛在失效模式與由于體二極管反向恢復(fù)特性較差引起的直通電流相關(guān)。即使功率MOSFET的電壓和電流處于安全工作區(qū)域，反向恢復(fù)dv/dt和擊穿dv/dt也會在如啟動、過載和輸出短路的情況下發(fā)生。

LLC諧振半橋變換器

LLC諧振變換器與傳統(tǒng)諧振變換器相比有如下優(yōu)勢：

寬輸出調(diào)節(jié)范圍，窄開關(guān)頻率范圍

即使空載情況下，可以保證ZVS

利用所有的寄生元件，來獲得ZVS

LLC諧振變換器可以突破傳統(tǒng)諧振變換器的局限。正是由于這些原因，LLC諧振變換器被廣泛應(yīng)用在電源供電市場。LLC諧振半橋變換器拓撲如圖1所示，其典型波形如圖2所示。

圖1中，諧振電路包括電容Cr和兩個與之串聯(lián)的電感Lr和Lm。作為電感之一，電感Lm表示變壓器的勵磁電感，并且與諧振電感Lr和諧振電容Cr共同形成一個諧振點。重載情況下，Lm會在反射負載RLOAD的作用下視為完全短路，輕載情況下依然保持與諧振電感Lr串聯(lián)。

因此，諧振頻率由負載情況決定。Lr和Cr決定諧振頻率fr1，Cr和兩個電感Lr、Lm決定第二諧振頻率fr2，隨著負載的增加，諧振頻率隨之增加。諧振頻率在由變壓器和諧振電容Cr決定的大值和小值之間變動，如公式1、2所示。

LLC諧振半橋變換器 MOSFET

LLC諧振變換器的失效模式

LLC諧振半橋變換器 MOSFET

啟動失效模式

LLC諧振半橋變換器 MOSFET

圖3和圖4給出了啟動時功率MOSFET前五個開關(guān)波形。在變換器啟動開始前，諧振電容和輸出電容剛好完全放電。與正常工作狀況相比，在啟動過程中，這些空電容會使低端開關(guān)Q2的體二極管深度導(dǎo)通。

因此流經(jīng)開關(guān) Q2體二極管的反向恢復(fù)電流非常高，致使當(dāng)高端開關(guān) Q1導(dǎo)通時足夠引起直通問題。啟動狀態(tài)下，在體二極管反向恢復(fù)時，非?？赡馨l(fā)生功率MOSFET的潛在失效。圖5給出了LLC諧振半橋變換器啟動時的簡化波形。

圖6給出了可能出現(xiàn)潛在器件失效的工作模式。在t0~t1時段，諧振電感電流Ir變?yōu)檎?。由于MOSFET Q1處于導(dǎo)通狀態(tài)，諧振電感電流流過MOSFET Q1 溝道。當(dāng)Ir開始上升時，次級二極管D1導(dǎo)通。

因此，式3給出了諧振電感電流Ir的上升斜率。因為啟動時vc(t)和vo(t)為零，所有的輸入電壓都施加到諧振電感Lr的兩端。這使得諧振電流劇增。

LLC諧振半橋變換器 MOSFET