雙柵mos管場(chǎng)效應(yīng)管及基本特征
信息來(lái)源：本站 日期：2017-07-27
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個(gè)柵極的四端器件，兩個(gè)MOS管柵極都可以對(duì)溝道進(jìn)行控制，目的是為了控制的便利性與獨(dú)立性，尤其是有兩個(gè)控制量的時(shí)候，就像一個(gè)水池裝兩個(gè)水龍頭，可以更加方便地控制流量。
雙柵極MOSFET大都是小功率產(chǎn)品，主要用于無(wú)線電接收機(jī)的混頻級(jí)，兩個(gè)柵極分別進(jìn)行增益控制（高頻放大）和混頻（本振輸入）或者變頻（頻率變換）。
因?yàn)橛袃蓚€(gè)柵極，普通MSOFET的溝道長(zhǎng)度就顯得有些短，F(xiàn)inFET(雙翼柵FET)就是專(zhuān)門(mén)針對(duì)雙柵極MOSFET而設(shè)計(jì)了比較長(zhǎng)的溝道（圖1.27）。
為了進(jìn)一步減少兩個(gè)柵極之間相互的干擾，PSDG(Planar Split Dual Gate，平面分離柵)MOSFET成運(yùn)而生，在加長(zhǎng)溝道的基礎(chǔ)上，兩個(gè)柵極之間增加廠隔離區(qū)（帶），很像兩個(gè)共用源極和漏極的MOSFET。
因此，雖然DGMOSFET、FinFFT、PSDG MOSFET在概念和具體工藝結(jié)構(gòu)上均有區(qū)別，不過(guò)在工程實(shí)踐上，區(qū)別并不大，新型產(chǎn)品以PSDG MOSFET居多。在概念范疇上，DGMOSFET可以視為FinFET、PSDG MOSFET的統(tǒng)稱(chēng)：，
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