MOS管電源開關(guān)電路軟啟動解析-KIA MOS管

電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實現(xiàn)的，且?guī)к涢_啟功能，非常經(jīng)典。

一、電路說明電源開關(guān)電路，尤其是MOS管電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，如下框圖所示：

框圖中“1個MOS管符號”代表“1個完整的MOS管電源開關(guān)電路”在設(shè)計時，只要增加一個電容（C1），一個電阻（R2），就可以實現(xiàn)軟開啟（soft start）功能。

軟開啟，是指電源緩慢開啟，以限制電源啟動時的浪涌電流。在沒有做軟開啟時，電源電壓的上升會比較陡峭。

加入軟開啟功能后，電源開關(guān)會慢慢打開，電源電壓也就會慢慢上升，上升沿會比較平緩。

浪涌電流可能會令電源系統(tǒng)突然不堪重負(fù)而掉電，導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。嚴(yán)重的可能會損壞電路上的元器件。

電源上電過快過急，負(fù)載瞬間加電，會突然索取非常大的電流。

比如在電源電壓是5V，負(fù)載是個大容量電容的時候，電源瞬間開啟令電壓瞬間上升達(dá)到5V，電容充電電流會非常大。如果同樣的時間內(nèi)電源電壓只上升到2.5V，那么電流就小得多了。

下面從數(shù)學(xué)上分析一下。電量 = 電容容量 * 電容兩端的電壓，即：Q = C * U同時電量 = 電流 * 時間，即：Q = I * t所以電流：I = （CU） / t從公式可以看出，當(dāng)電容容量越大，電壓越高，時間越短，電流就會越大，從而形成浪涌電流。大電容只是形成浪涌電流的原因之一，其他負(fù)載也會引起浪涌電流。

二、原理分析

1、控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻時，三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平，Q2不導(dǎo)通，進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不導(dǎo)通，+5V_OUT 無輸出。

電阻R4是為了在 Control 為高阻時，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。

2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時，要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開向后級電路輸出。

此時電源 +5V_IN 剛上電，使MOS管G極與S極等電勢，即Vgs = 0，令Q1關(guān)閉。

3、電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。

4、此時將 Control 設(shè)為高電平（假設(shè)高電平為3.3V），則：

①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：

（3.3V - 0.7V） / 基極電阻R3 = 0.26mA②三級管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電，即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。

③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。

④利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開（導(dǎo)通），實現(xiàn)了軟開啟的功能。

5、電源打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。

軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過慢地開啟和關(guān)閉電源都可能導(dǎo)致電路系統(tǒng)異常，這個MOS管電源開關(guān)電路及其參數(shù)已經(jīng)過大批量使用驗證，一般情況下可以直接照搬使用。

三、電路參數(shù)設(shè)定說明調(diào)整C1、R2的值，可以修改軟啟動的時間。值增大，則時間變長。反之亦然。如果不想使用軟開啟功能，直接不上件電容C1即可。

使用原理圖中所標(biāo)型號的MOS管，通過的電流最好不要超過1.75A，留至少30%的余量，并且要注意散熱。余量是否足夠，跟MOS管的溫度有關(guān)，應(yīng)用時要注意做好實驗驗證。

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