1500V?3A 變頻器 KNX42150A 1500V?3A參數(shù)附件-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-09-29
1.產(chǎn)品特點
高速開關
RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V
全隔離塑料包裝
2.應用
交換應用
1.開啟電壓VT
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內
6. 導通電阻RON 1500V3A參數(shù) 變頻器
導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內
7. 極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CGS和CGD約為1～3pF
CDS約在0.1～1pF之間
8. 低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內部載流子運動的不規(guī)則性所引起的
由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）
這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內測出的噪聲系數(shù)
場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
