mos管直流特性與導通特性-JFET與MOS管直流特性分析比較-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-06-12　

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mos管直流特性

MOS管種類與結構

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS 管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

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對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載（如馬達），這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的 MOS 管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。

MOS管導通特性

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導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到 4V 或 10V 就可以了。PMOS的特性，Vgs 小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS 可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

JFET與MOSFET直流特性分析和比較

場效應管是一種利用電場效應來控制其電流大小的半導體器件，根據結構的不同，場效應管可分為兩大類：結型場效應管(JEFT)和絕緣柵場效應管(MOSFET)，在分析比較它們的直流特性之前，首先對它們的結構和原理作簡單的比較。JFET按導電溝道可分為N溝道和P溝型，按零柵壓(U GS =0)時器件的工作狀態，又可分為增強型(常關型)和耗盡型(常開型)兩種，因此 JFET 可以分為四種類型。

同樣的，對于MOSFET也是如此，也分為四種類型即：N溝耗盡型、N溝增強型、P溝耗盡型、P溝增強型。在下面對JFET和MOSFET的分析對比中，都以 N 溝類型的場效應管為例，進行說明其他種類的場效應管的原理與分析方法類似。

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JFET的工作原理及輸出、轉移特性

N 溝道JFET工作時，在柵極和源極之間需要加一負電壓(VGS<0)，使得柵極、溝道間的PN結反偏，柵極電流iG≈0。在漏極與源極間加一正電壓(VDS >0)，使N溝道中的多數載流子(電子)在電場作用下由源極向漏極運動，形成電流iD。其大小受VGS控制，VGS在JFET結構中主要通過控制溝道電阻，來控制ID的大小。通過設置不同的VGS和VDS便可以使得JFET工作在不同的狀態下。

當 U DS 為一定值時，漏源電流IDS的大小隨柵源電壓UGS的改變而變化，這是因為柵結耗盡層厚度是隨柵源電壓變化而變化的，因此也使得導電溝道電阻發生變化，致使ID也相應變化。如圖 1-1(a)所示的 PN 結，柵耗盡區的大部分擴展在PN結的N區一側，柵PN結上的反偏電壓越大，耗盡區就會越寬，因而使夾在上下兩耗盡區之間的導電溝道截面積減小，導電溝道電阻增加，致使通過它的電流減小。反之，會使得漏極電流變大。

當負柵壓很高時，整個溝道從源到漏被空間電荷區所占滿，此時即使在漏源之間加上偏壓，溝道中葉不會有電流通過，此時JFET處于截止狀態。

當UGS一定時，在圖1-1(a)所示的N溝JFET兩端之間加上一正電壓UDS ，由于溝道相當于一個電阻，因此此時將有電流經過溝道從漏極流向源極。當UDS增加時漏源電流也隨之增加，同時漏源電流在溝道電阻上產生的壓降也隨之增加，靠近漏極端高，源極端低。漏極端正向壓降使柵極PN結反偏，柵漏結的空間電荷區從溝道的兩邊向溝道的中心展寬，最終使漏極端溝道被夾斷。夾斷后如果漏極電壓進一步增加，U DS主要落在空間電荷層上，對溝道載流子的作用減弱，所以即使UDS 繼續增加，漏源電流也基本不變，此時處于飽和狀態。此后，若UDS 仍繼續增加至PN結反向擊穿電壓時，JFET 就會發生擊穿。

通過以上分析，可以得到JFET共源極輸出特性曲線和相應的轉移特性曲線如圖 2-1所示。

mos管直流特性

MOS管的轉移性特性

MOS 場效應管的柵極和半導體之間被氧化硅層阻隔，器件導通時只有從漏極經過溝道到源極這一條電流通路。

通過以上分析，同樣根據式(1-1)和(1-2)對輸出特性和轉移特性的定義，可以得到NMOS的輸出和轉移特性曲線如圖2-2所示：

mos管直流特性