諸如放大器和轉(zhuǎn)換器等模擬集成電路具有至少兩個(gè)或兩個(gè)以上電源引腳。對(duì)于單電源...諸如放大器和轉(zhuǎn)換器等模擬集成電路具有至少兩個(gè)或兩個(gè)以上電源引腳。對(duì)于單電源器件，其中一個(gè)引腳通常連接到地。如ADC和DAC等混合信號(hào)器件可以具有模擬和數(shù)字電源...
在電源等設(shè)備中通常需要做電流檢測(cè)或反饋，電流檢測(cè)通常用串聯(lián)采樣電阻在通過(guò)放...在電源等設(shè)備中通常需要做電流檢測(cè)或反饋，電流檢測(cè)通常用串聯(lián)采樣電阻在通過(guò)放大器放大電阻上的電壓的方法，如果要提高檢測(cè)精度這地方往往要用到比較昂貴的儀表放...
MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切換 ...MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切換 雪崩測(cè)試100% 提高dv/dt能力
影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計(jì)方面的，如材料、器件和工藝...影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計(jì)方面的，如材料、器件和工藝等的選取；有工藝方面的，如物理、化學(xué)等工藝的不穩(wěn)定性；也有使用方面的，如電、熱...
為了有效地抑制短溝道效應(yīng)，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長(zhǎng)度...為了有效地抑制短溝道效應(yīng)，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長(zhǎng)度以同樣的比例下降。對(duì)于0.1μm尺度的CMOS器件，柵氧化層厚度需達(dá)到3nm左右。對(duì)于超...
