KIA3415采用了先進(jìn)的溝道技術(shù)。提供卓越的R-DS（開(kāi)）、低柵極電荷和低至1.8V的...KIA3415采用了先進(jìn)的溝道技術(shù)。提供卓越的R-DS（開(kāi)）、低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該裝置適合作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM中應(yīng)用。KIA3415是標(biāo)準(zhǔn)不含鉛產(chǎn)品。
導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。電阻（Resistor，通常用“R”表示）是...導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。電阻（Resistor，通常用“R”表示）是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大，表示導(dǎo)體對(duì)...
電氣設(shè)備（如斷路器，電機(jī)或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身...電氣設(shè)備（如斷路器，電機(jī)或變壓器）的電流額定值，是指在某個(gè)電流下，器件本身達(dá)到的溫度可能損害器件可靠性和功能時(shí)的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值...
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來(lái)的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的...
KIA78L09是單片固定式穩(wěn)壓器集成電路，適用于需要高達(dá)100mA電源電流的場(chǎng)合。 ...KIA78L09是單片固定式穩(wěn)壓器集成電路，適用于需要高達(dá)100mA電源電流的場(chǎng)合。 三端穩(wěn)壓管KIA78L09特征 1、輸出電流高達(dá)100mA 2、無(wú)需要外部零件 3、熱過(guò)載停機(jī)...
